В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, С. К. Мехта, “Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов”, Квантовая электроника, 41:2 (2011), 95

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов

В. В. Кабанов^a, Е. В. Лебедок^a, А. А. Романенко^a, А. Г. Рябцев^b, Г. И. Рябцев^a, М. А. Щемелев^b, С. К. Мехта^c

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Белорусский государственный университет, г. Минск
^c Solid State Physics Laboratory, India

Аннотация: Изучено влияние усиленной люминесценции (УЛ) и растекания неравновесных носителей заряда на пороговые, динамические и мощностные характеристики мощных линеек лазерных диодов (ЛЛД) на основе InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры. Установлено, что в зависимости от фактора заполнения излучением ближнего поля вклад рекомбинации, индуцируемой УЛ, в порог генерации ЛЛД может достигать 11%. Показано, что потери энергии накачки ЛЛД, связанные с УЛ, возрастают с ростом тока инжекции выше его порогового значения вследствие увеличения интенсивности излучения, распространяющегося перпендикулярно оси резонатора ЛЛД.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 11.10.2010
Исправленный вариант: 06.12.2010