RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 7, страницы 626–630 (Mi qe14515)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество

Прохождение импульсов излучения Nd-лазера через пластины кристаллического кремния

Н. А. Кириченко, П. Г. Кузьмин, М. Е. Щербина

Научный центр волновых исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследовано прохождение импульсов излучения Nd:YAG-лазера (длина волны 1.064 мкм, длительность импульса излучения 270 нс, энергия в импульсе 225 мкДж) через пластины кристаллического кремния. Проведено математическое моделирование процесса: численно решено уравнение теплопроводности и учтены температурные зависимости показателей поглощения и преломления вещества, а также генерация неравновесных носителей под действием излучения. Построенная модель удовлетворительно объясняет наблюдавшиеся в экспериментах осцилляции интенсивности проходящего излучения.

PACS: 78.40.Fy, 72.80.Cw, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 06.12.2010
Исправленный вариант: 23.02.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:7, 626–630

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024