RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 3, страницы 209–213 (Mi qe1452)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазеры

Об эффективности лазера на атомарных переходах ксенона при накачке пучком электронов

В. Ф. Тарасенкоa, А. В. Феденевa, В. С. Скакунb

a Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова, Томский государственный университет

Аннотация: Проведены экспериментальные исследования лазера на атомарных переходах ксенона в широком диапазоне рабочих смесей, давлений, длительностей и удельных мощностей импульса накачки пучком электронов. Наибольшие КПД при накачке пучком электронов получены при давлении смеси Ar — Xe примерно 1 атм, содержании ксенона ~ 1 % и удельных плотностях мощности накачки 1 — 37 кВт/см3·атм. При длительности импульса тока пучка ~ 100 мкс и удельных плотностях мощности накачки ~ 1  кВт/см3·атм реализована генерация с высокой эффективностью в квазистационарном режиме. Получена квазистационарная генерация с длительностью импульса излучения ~ 2.3 мс при удельной плотности мощности накачки ~ 90 Вт/см3·атм.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 20.11.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:3, 209–213

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024