RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 7, страницы 631–636 (Mi qe14528)

Эта публикация цитируется в 24 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество

Исследование пространственного разрешения лазерной термохимической технологии записи дифракционных микроструктур

В. П. Вейкоa, В. И. Корольковb, А. Г. Полещукb, А. Р. Саметовb, Е. А. Шахноa, М. В. Ярчукa

a Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики
b Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Термохимический метод записи информации, основанный на локальном лазерном окислении тонкой металлической пленки с последующим травлением необлученной области, является альтернативой лазерной фотолитографии и прямому лазерному удалению материала пленки. При таком способе записи отсутствуют термические и гидродинамические искажения рисунка, как в случае лазерной абляции, а количество технологических операций существенно меньше, чем при изготовлении фотошаблонов классическим методом фотолитографии. Основная область применения термохимической технологии — изготовление дифракционных оптических элементов (ДОЭ), которые широко используются в принтерах, аппаратах для чтения штрих-кодов, лазерных CD- и DVD-проигрывателях и т.д. Задача настоящего исследования — увеличение разрешающей способности термохимического способа записи информации на тонких металлических пленках хрома.

PACS: 61.80.Ba, 42.62.-b, 42.79.Dj

Поступила в редакцию: 30.12.2010
Исправленный вариант: 29.03.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:7, 631–636

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024