RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 3, страницы 217–218 (Mi qe1454)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Лазеры

Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами

Н. Б. Звонковa, С. А. Ахлестинаb, А. В. Ершовa, Б. Н. Звонковa, Г. А. Максимовa, Е. А. Усковаa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Разработаны и экспериментально исследованы полупроводниковые лазеры на основе InGaP/GaAs/InGaAs-структуры с широкими туннельно-связанными волноводами. Получена мощность излучения 5.2 — 5.8 Вт с излучающей области шириной 100 мкм при расходимости излучения в перпендикулярной pn-переходу плоскости 36°.

PACS: 42.55.Px, 42.82.Et

Поступила в редакцию: 28.10.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:3, 217–218

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024