RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 715–721 (Mi qe14541)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Непрерывная двухволновая генерация в микрочип-Nd : YAG-лазерах

И. В. Иевлев, И. В. Корюкин, Ю. С. Лебедева, П. А. Хандохин

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Обнаружен режим одновременной двухволновой генерации в микрочип-Nd :YAG-лазерах на длинах волн 1061.5 и 1064.17 нм с продольной лазерной накачкой при комнатной температуре. Исследованы зависимости интенсивности генерируемых волн от температуры кристалла и мощности излучения накачки. Выявлены области параметров, в которых существует двухволновая генерация и установлены причины ее возникновения. Предложена модель, адекватно описывающая полученные экспериментальные результаты.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.01.2011
Исправленный вариант: 14.06.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:8, 715–721

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024