RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 7, страницы 584–589 (Mi qe14550)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

Лазеры

Лазеры на кристаллах ванадатов с σ-поляризацией генерируемого излучения

А. А. Сироткин, В. И. Власов, А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, С. А. Кутовой

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Экспериментально исследованы люминесцентные и генерационные свойства кристаллов ванадатов Nd:YVO4, Nd:GdVO4, Nd:Gd1-xYxVO4 и Nd:Sc1-xYxVO4, вырезанных вдоль оси а, на переходе 4F3/24I11/2 для π- и σ-поляризаций. Исследованы поляризационные зависимости генерации Nd:YVO4-, Nd:Gd1-xYxVO4- и Nd:Sc1-xYxVO4-лазеров врежиме пассивной модуляции с затворами из Cr4+:YAG и V3+:YAG. Показано, что при изменении π-поляризации на σ-поляризацию изменяется длина волны генерируемого излучения. Наилучшие характеристики достигнуты для Nd: YVO4-лазера в режиме пассивной модуляции с затворами из Cr4+:YAG для σ-поляризации (минимальная длительность импульса менее 3 нс, максимальная пиковая мощность до 10 кВт, максимальная пиковая энергия ~35 мкДж при дифференциальной эффективности до 32% и поляризованном излучении).

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd, 42.70.Hj, 42.25.Ja

Поступила в редакцию: 27.01.2011
Исправленный вариант: 12.04.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:7, 584–589

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024