RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 703–708 (Mi qe14583)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера

А. А. Белевцевa, С. Ю. Казанцевb, И. Г. Кононовb, А. А. Лебедевb, С. В. Подлесныхb, К. Н. Фирсовb

a Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Исследованы зависимости напряжения горения объёмного самостоятельного разряда (ОСР) от удельного энерговклада в смесях SF6 c C2H6 и H2, являющихся рабочими средами нецепного электрохимического HF-лазера. Установлено, что напряжение линейно увеличивается с ростом удельного энерговклада, причем относительное увеличение напряжения в смесях SF6–C2H6 заметно выше, чем в чистом SF6 и в смесях SF6–H2. Выдвинуто и обосновано предположение об определяющей роли процесса диссоциации молекул электронным ударом в наблюдаемом росте напряжения. По экспериментальным зависимостям найдены приближённые значения энергетической цены образования фрагментов диссоциации, в том числе и атома фтора при разряде в чистом SF6:Ed(F)=5±1 эВ. Величины Ed(F) хорошо согласуются с известными из литературы данными, полученными другими экспериментальными методами. Сделан вывод о том, что процесс диссоциации является основным механизмом ограничения плотности тока, позволяющим реализовать ОСР без предварительной ионизации газа в рабочих средах нецепного HF-лазера и определяющим более высокую устойчивость объёмного разряда в смесях SF6 c углеводородами (угледейтеридами) по сравнению со смесями с водородом (дейтерием). Предложена и обоснована методика численной оценки эффекта ограничения плотности тока и его влияния на устойчивость ОСР.

PACS: 42.55.Ks, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 10.03.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:8, 703–708

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024