RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 735–737 (Mi qe14648)

Эта публикация цитируется в 18 статьях

Наноструктуры

Образование ансамбля наночастиц с бимодальным распределением по размерам при воздействии непрерывного лазерного излучения на пленки PbTe

А. А. Антиповa, С. М. Аракелянa, В. И. Емельяновb, С. П. Зиминc, С. В. Кутровскаяa, А. О. Кучерикa, В. Г. Прокошевa

a Владимирский государственный университет
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова

Аннотация: Впервые зарегистрировано образование ансамбля наночастиц на поверхности пленки бинарного полупроводника (PbTe) под действием непрерывного лазерного излучения. Показано, что дефектно-деформационная теория образования ансамбля наночастиц в твердой фазе в условиях непрерывного лазерного облучения хорошо описывает полученные экспериментальные результаты, в частности дает бимодальную функцию распределения наночастиц по размерам, соответствующую экспериментально полученной функции распределения.

PACS: 43.25.Rq, 66.30.Lw, 61.72.Yx, 68.55.Ln, 81.40.Lm, 61.80.Ba, 81.16.-c

Поступила в редакцию: 29.04.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:8, 735–737

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024