RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 10, страницы 901–905 (Mi qe14649)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Моделирование экспериментов по исследованию спектральных пробегов рентгеновского излучения на лазерной установке "Искра-5"

С. А. Бельков, О. О. Шаров

Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ, г. Саров

Аннотация: Описана усовершенствованная слэтеровская модель среднего иона, используемая при расчетно-теоретическом анализе экспериментальных данных, которые были получены при исследовании спектральных пробегов рентгеновского излучения, ведущихся в РФЯЦ-ВНИИЭФ на лазерной установке "Искра-5". Предлагаемая модель позволяет определять спектральные характеристики рентгеновского излучения с точностью до единиц электронвольт. Приведены результаты моделирования экспериментов с нагретыми рентгеновским излучением алюминиевыми и германиевыми образцами с начальной толщиной ~0.1 мкм, в которых зарегистрированы линии поглощения 1s—2p-переходов в Al и полоса поглощения 2p—3d-переходов в Ge.

PACS: 52.50.Jm, 52.38.Dx, 52.38.Ph

Поступила в редакцию: 03.05.2011
Исправленный вариант: 11.08.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:10, 901–905

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024