RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 677–680 (Mi qe14652)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Лазеры

Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм

С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович

ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) и полупроводниковые оптические усилители (ПОУ) на основе однослойной квантоворазмерной структуры в системе (AlxGa1-x)As/GaAs с концентрацией Al x~0.1 в активном слое толщиной 10 нм. В зависимости от длины активного канала СЛД непрерывная выходная мощность излучения через одномодовый волоконный световод составляла 1 — 30 мВт при ширине спектра около 50 нм. Полоса оптического усиления в активном канале превышала 40 нм. Предварительные ресурсные испытания продемонстрировали достаточно высокую надежность этих приборов.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 85.60.Jb

Поступила в редакцию: 06.05.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:8, 677–680

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024