RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 10, страницы 869–874 (Mi qe14699)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Измерение параметров Стокса излучения полупроводниковых лазеров

Н. В. Дьячков, А. П. Богатов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Разработана и опробована оригинальная методика измерения параметров Стокса для полупроводниковых лазеров, основанная на привязке системы координат к исследуемому образцу. Предлагаемая методика при использовании в качестве компенсатора произвольной фазовой пластины позволяет измерять поляризационные характеристики лазеров, работающих в широком диапазоне длин волн — от 600 до 1000 нм. Применение фурье-анализа к квазинепрерывным экспериментальным данным, полученным с помощью автоматизированных систем сбора и обработки результатов измерений и ординарных оптических элементов, обеспечивает точность, достаточную для регистрации особенностей поляризационных характеристик современных лазерных диодов.

PACS: 42.55.Px, 42.25.Ja

Поступила в редакцию: 22.07.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:10, 869–874

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024