Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу

Разработаны напряженные двусторонние гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs на длину волны 1.06 мкм с раздельным оптическим и электрическим ограничением, содержащие две квантовые ямы. На их основе изготовлены непрерывные лазеры с шириной полоскового контакта 100 мкм, имеющие выходную мощность до 2 Вт при расходимости излучения в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу, 20 — 25 °. Внешняя дифференциальная квантовая эффективность составила 85%, полный КПД — 47% при температуре корпуса 20 °С. Эффективность ввода излучения в стандартный волоконный световод с диаметром сердцевины 50 мкм и числовой апертурой 0.22 составила 80%.