RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 12, страницы 1104–1108 (Mi qe14708)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Зависимость предиссоциации B-состояния I2, индуцированной фемтосекундным лазерным импульсом, от фазовой модуляции импульса

Ю. И. Костюкевич, С. Я. Уманский

Институт химической физики им. Н. Н. Семенова РАН, г. Москва

Аннотация: Теоретически рассмотрены процессы накачки и лазерно-индуцированной предиссоциации B-состояния молекулы I2 под действием фемтосекундных лазерных импульсов. Получена аналитическая формула, описывающая зависимость интенсивности предиссоциации от таких параметров фемтосекундных импульсов, как спектральный чирп, спектральная ширина и время задержки между импульсами. На основе этой формулы проведены численные расчеты зависимости выхода предиссоциации от параметров фазовой модуляции импульса накачки и связывающего импульса.

PACS: 33.80.Gj, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 23.08.2011
Исправленный вариант: 19.10.2011


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2011, 41:12, 1104–1108

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024