RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 4, страницы 304–309 (Mi qe14727)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Активные среды

Нестабильность разряда в XeCl*-лазерах при высоких давлениях газа

З. Харрачеab, А. Алияc, А. Беласриa

a Laboratoire de Physique des Plasmas, Matériaux Conducteurs et leurs Applications, Université des Sciences et de la Technologie d’Oran, Algérie
b Grupo de Espectroscopía de Plasmas, Edificio A. Einstein, Campus de Rabanales, Universidad de Córdoba, Algérie
c Laboratoire de Mécanique de Lille, Université des Sciences et Technologies de Lille, France

Аннотация: Обсуждаются новые особенности кинетики XeCl*-лазеров, а именно развитие в разряде XeCl*-лазера сильной пространственной нестабильности. Акцент делается на фундаментальных проблемах, в основном на ограниченности макроскопического подхода к изучению подобных сильно неравновесных систем. Полученные результаты в первую очередь объясняют специфику разряда в центре плазмы.

Ключевые слова: теоретическое моделирование, XeCl-лазер, химическая нестабильность.

PACS: 42.55.Lt, 52.20.-j, 82.33.Xj

Поступила в редакцию: 03.09.2011
Исправленный вариант: 10.01.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:4, 304–309

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024