RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 1, страницы 19–20 (Mi qe1474)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+

В. И. Власовa, Ю. Д. Заварцевa, А. И. Загуменныйa, П. А. Студеникинa, И. А. Щербаковa, Х. Виссb, В. Лютиb, Х. П. Веберb

a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland

Аннотация: Исследован микрочип-лазер на основе кристалла GdVO4:Nd3+ с диодной накачкой. Получена максимальная выходная мощность около 4 Вт при дифференциальном КПД 22%.

PACS: 42.25.Rz, 42.55.Sa, 42.55.Xi, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 07.12.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:4, 301–302

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024