Г. Ю. Орлова, В. И. Власов, Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, И. И. Калашникова, С. А. Кутовой, В. С. Наумов, А. А. Сироткин, “Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 42:3 (2012), 208

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды

Влияние структурного несовершенства кристаллов ванадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на генерационные характеристики лазеров с полупроводниковой накачкой

Г. Ю. Орлова^a, В. И. Власов^b, Ю. Д. Заварцев^b, А. И. Загуменный^b, И. И. Калашникова^a, С. А. Кутовой^b, В. С. Наумов^a, А. А. Сироткин^b

^a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Впервые обнаружена зависимость эффективности генерации лазеров с полупроводниковой накачкой и активными элементами из кристаллов ортованадатов иттрия, гадолиния и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и иттрияскандия (ванадатов редкоземельных элементов) от степени структурного несовершенства (качества) кристаллов. Это позволяет предсказывать генерационные параметры на стадии заготовок без изготовления активных элементов.

Ключевые слова: ванадат иттрия, ванадат гадолиния, смешанные ванадаты редкоземельных элементов, структурное несовершенство, генерационные параметры.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.70.Hj, 61.05.Cp

Поступила в редакцию: 22.11.2011
Исправленный вариант: 13.02.2012