RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 5, страницы 432–436 (Mi qe14804)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Лазеры

Высокоэффективные лазер и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку

Л. В. Котовa, М. Е. Лихачевa, М. М. Бубновa, О. И. Медведковa, Д. С. Липатовb, Н. Н. Вечкановb, А. Н. Гурьяновb

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород

Аннотация: Разработаны схемы лазера и усилителя на основе эрбиевых световодов с накачкой в оболочку. Оптимизация конструкции световода позволила достичь рекордной дифференциальной эффективности преобразования излучения накачки (λ = 976 мм) в лазерный сигнал, равной 40 % относительно поглощенной мощности накачки, и выходной мощности 7.5 Вт. Продемонстрирована эффективная работа эрбиевого усилителя с максимальной эффективностью 32%.

Ключевые слова: эрбиевый волоконный световод, накачка в оболочку, дифференциальная эффективность.

PACS: 42.55.Wd, 42.60.By, 42.81.Bm

Поступила в редакцию: 20.12.2011
Исправленный вариант: 20.03.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:5, 432–436

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024