RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 943–948 (Mi qe14901)

Эта публикация цитируется в 26 статьях

Фотоприемники

Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием

П. Н. Аруевa, М. М. Барышеваb, Б. Я. Берa, Н. В. Забродскаяa, В. В. Забродскийa, А. Я. Лопатинb, А. Е. Пестовb, М. В. Петренкоa, В. Н. Полковниковb, Н. Н. Салащенкоb, В. Л. Сухановa, Н. И. Чхалоb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Разработана методика создания кремниевого фотодиода с интегрированным узкополосным Zr/Si фильтром для экстремального ультрафиолетового (ЭУФ) спектрального диапазона. Создана установка для измерения профиля чувствительности детекторов с пространственным разрешением лучше 100 мкм. Исследованы оптические свойства кремниевых фотодиодов в ЭУФ и видимом спектральных диапазонах. Проведено сравнение ряда характеристик диодов SPD-100UV с Zr/Si-покрытием и без покрытия и AXUV-100. У всех типов детекторов обнаружена узкая область вне рабочей апертуры, чувствительная к видимому свету.

Ключевые слова: ЭУФ-излучение, кремниевый фотодиод, детектор, ЭУФ-фильтр.

PACS: 85.60.Dw, 42.79.Pw

Поступила в редакцию: 27.07.2012
Исправленный вариант: 06.08.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 943–948

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024