RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 863–873 (Mi qe14910)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Приглашенная статья

Схемы активной области в квантовых каскадных лазерах

И. И. Засавицкий

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Анализируется развитие рабочих схем активной области в квантовых каскадных лазерах. В настоящее время разработаны схемы активной области таких лазеров с различными излучательными переходами (вертикальные, диагональные, межминизонные, межзонные). Для опустошения нижнего лазерного уровня используются безызлучательные переходы: одно- или двухфононная (и даже трехфононная) релаксация, а также переходы связанное состояние → континуум. Показано, как в последние годы модификация рабочих схем и оптимизация энергетических диаграмм гетероструктур привели к существенному улучшению таких важных характеристик квантового каскадного лазера, как мощность излучения, ширина спектра излучения, характеристическая температура, КПД.

Ключевые слова: квантовый каскадный лазер, квантовая яма, барьер, излучательный и безызлучательный переходы, характеристическая температура, мощность излучения, КПД.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 78.67.De

Поступила в редакцию: 14.06.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 863–873

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024