RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 12, страницы 1128–1132 (Mi qe14916)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Лазерные технологии

Метод лазерного напыления УФ фотокатодов на основе галогенидов щелочных металлов

В. М. Брендельa, В. В. Букинa, С. В. Гарновa, В. Х. Багдасаровa, Н. Н. Денисовa, С. Г. Гаранинb, В. А. Терехинb, Ю. А. Трутневb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b ФГУП «Российский федеральный ядерный центр — ВНИИЭФ», Нижегородская обл., г. Саров

Аннотация: Предложена методика изготовления УФ фотокатодов на основе галогенидов щелочных металлов, устойчивых к воздействию окружающей среды, путем импульсного лазерного осаждения. Получены образцы фотокатодов с высокими гомогенностью и адгезией фотоэмиссионного слоя. После изготовления фотокатоды монтировались в вакуумный фотодиод, анодом служила вольфрамовая сетка. С использованием импульсных УФ лазеров проведены эксперименты по определению квантовой эффективности этих фотокатодов. При постоянном внешнем напряжении между фотокатодом и анодной сеткой регистрировался сигнал с шунта, пропорциональный общему заряду, ушедшему с катода под действием лазерного УФ излучения. Разработанная методика напыления позволяет изготавливать фотокатоды с почти одинаковой квантовой эффективностью по всей поверхности фотоэмиссионного слоя, что является ее основным преимуществом перед методом токового испарения для нанесения тонких пленок.

Ключевые слова: фотокатод, PLD, фотоэмиссия, квантовый выход.

PACS: 81.15.Fg, 85.60.Ha, 85.60.Dw

Поступила в редакцию: 14.06.2012
Исправленный вариант: 27.07.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:12, 1128–1132

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024