RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 931–933 (Mi qe14917)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Измерение параметров лазерного излучения

Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку

С. М. Некоркинa, Б. Н. Звонковa, М. В. Карзановаa, Н. В. Дикареваa, В. Я. Алешкинb, А. А. Дубиновb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы диаграммы направленности излучения лазера на основе структуры InGaAs/GaAs/InGaP с выходом излучения через подложку. В допороговом режиме обнаружено несколько пиков, соответствующих излучению основной и возбужденных мод. Исследованы и объяснены зависимости амплитуды, положения и ширины пиков от тока накачки.

Ключевые слова: лазер с выходом излучения через подложку, диаграмма направленности, модовый состав.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 14.06.2012
Исправленный вариант: 13.08.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 931–933

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024