Аннотация:
Исследованы диаграммы направленности излучения лазера на основе структуры InGaAs/GaAs/InGaP с выходом излучения через подложку. В допороговом режиме обнаружено несколько пиков, соответствующих излучению основной и возбужденных мод. Исследованы и объяснены зависимости амплитуды, положения и ширины пиков от тока накачки.
Ключевые слова:лазер с выходом излучения через подложку, диаграмма направленности, модовый состав.
PACS:42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 14.06.2012 Исправленный вариант: 13.08.2012