RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 880–886 (Mi qe14920)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Активные среды

Особенности структуры диэлектрических лазерных оксидных керамик

А. А. Каминскийa, А. В. Тарановb, Е. Н. Хазановb, М. Ш. Акчуринa

a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва

Аннотация: Изучена связь транспортных характеристик тепловых фононов субтерагерцевых частот со структурными особенностями однофазных диэлектрических лазерных кристаллокерамик на основе кубических оксидов, синтезированных в различных технологических режимах. Проанализировано влияние процессов пластической деформации на формирование структуры зерен и межзеренных слоев (границ), теплофизические, акустические, оптические и лазерные характеристики материала.

Ключевые слова: лазерная керамика, фононы, межзеренная граница, двойникование.

PACS: 42.70.Hj, 81.05.Je, 71.36.+c

Поступила в редакцию: 08.06.2012
Исправленный вариант: 15.08.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 880–886

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024