RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 10, страницы 953–956 (Mi qe14929)

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Селективная фотоионизация изотопов лютеция

А. Б. Дьячков, С. К. Ковалевич, А. В. Лабозин, В. П. Лабозин, С. М. Миронов, В. Я. Панченко, В. А. Фирсов, Г. О. Цветков, Г. Г. Шаталова

НИЦ "Курчатовский институт" г. Москва

Аннотация: Рассмотрена оптическая схема трехступенчатой лазерной фотоионизации для обогащения изотопа 176Lu из природного лютеция. Исследована сверхтонкая структура второго возбужденного состояния 5d 6s 7s 4D3/2 с энергией 37 194 см-1 и автоионизационного состояния с энергией 53 375 см-1 изотопов 176Lu и 175Lu. Определены полный электронный момент автоионизационного уровня и константа А сверхтонкого магнитного взаимодействия. Из-за малой величины изотопического сдвига между 176Lu и 175Lu существенная селективность их разделения может быть достигнута на отдельных компонентах сверхтонкой структуры. Проведено первое пробное обогащение изотопа 176Lu до концентрации 60 % — 70 %.

Ключевые слова: лютеций, изотоп 177Lu, лазерная фотоионизация, сверхтонкая структура, автоионизация, АВЛИС-технология.

PACS: 28.60.+s, 32.10.Bi, 32.80.Fb, 42.62.-b

Поступила в редакцию: 28.06.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2012, 42:10, 953–956

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024