RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 1, страницы 63–70 (Mi qe14944)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Нанокомпозиты

Безрезонаторная стохастическая лазерная генерация в нанокомпозитной среде

С. Н. Сметанин, Т. Т. Басиев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Представлен расчет характеристик безрезонаторного стохастического лазера на нанокомпозитной среде, состоящей из прозрачного диэлектрика и рассеивающих активированных нанокристаллов. Предложено в качестве нанокристаллов использовать иттербиевые лазерные среды с высокой концентрацией активных ионов, а в качестве диэлектрической среды, в которую помещаются нанокристаллы, – газы, жидкости или твердые диэлектрики с показателем преломления, меньшим, чем у нанокристаллов. Исходя из представления о нерезонансной распределенной обратной связи за счет рэлеевского рассеяния, получено выражение для минимальной длины нанокомпозитной лазерной среды, при которой преодолевается порог стохастической лазерной генерации. Найдены выражения для критического (наибольшего) и оптимального размеров нанокристаллов, а также для оптимального относительного показателя преломления нанокомпозита, соответствующего не только максимуму коэффициента усиления, но и минимуму пороговой длины среды при оптимальном выборе размера нанокристаллов. Показано, что оптимальный относительный показатель преломления нанокомпозита увеличивается при повышении уровня накачки, но не зависит от других параметров нанокомпозита.

Ключевые слова: стохастическая лазерная генерация, нанокомпозитная среда, активированный нанокристалл, рэлеевское рассеяние.

PACS: 42.55.Zz, 42.25.Dd, 78.67.Bf

Поступила в редакцию: 19.07.2012
Исправленный вариант: 03.10.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:1, 63–70

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024