С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 961

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Письма

Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм

С. Н. Ильченко^a, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^c, С. Д. Якубович^d

^a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
^b ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^c ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^d Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)

Аннотация: Экспериментально исследованы квантоворазмерные суперлюминесцентные диоды с экстремально тонким активным слоем состава (InGa)As. В непрерывном режиме инжекции выходная мощность таких диодов составляет единицы милливатт при центральной длине волны 830 нм и ширине спектра около 100 нм.

Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, оптическая когерентная томография.

PACS: 42.55.Px, 78.66.-w, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.09.2012