RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 2, страницы 147–149 (Mi qe14985)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Управление параметрами лазерного излучения

Линейка лазерных диодов с перестраиваемой шириной линии для накачки лазера на рубидии

Жиенг Лиab, Ронгкуинг Танb, Чэнг Хуab, Лин Лиab

a Graduate University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
b Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China

Аннотация: Для оптимизации источника диодной накачки мощного лазера на парах рубидия реализована линейка лазерных диодов (ЛЛД) с суженой и перестраиваемой шириной линии генерации и внешним резонатором, сформированным двумя объемными брэгговскими решетками (ОБР). За счет контроля разности температур двух таких решеток ширина линии ЛЛД, которая до их добавления составляла 1.8 нм, изменялась от 0.1 пм до 0.2 нм, тогда как выходная мощность увеличивалась не более чем на 4 %. При одновременном изменении температур ОБР центральная длина волны в воздухе созданной ЛЛД перестраивалась от 779.40 до 780.05 нм.

Ключевые слова: лазер на парах щелочных металлов, линейка лазерных диодов, объемные брэгговские решетки.

PACS: 42.55.Px, 42.55.Xi, 42.40.Eq, 42.55.Lt

Поступила в редакцию: 14.09.2012


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:2, 147–149

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024