Аннотация:
Проведено исследование четырехволновой ВКР-генерации стоксовых и антистоксовых компонент излучения в кристаллах BaWO4 и SrWO4 при возбуждении импульсным лазерным излучением с длиной волны 1064 нм и длительностью импульса 18 пс. Показано, что благодаря четырехволновым взаимодействиям ВКР-компонент излучения в коротких кристаллах (~1 см) пороги генерации второй и третьей стоксовых компонент существенно меньше значений, определяемых каскадным механизмом ВКР. При увеличении длины кристалла более чем в четыре раза механизм многоволнового ВКР становится близким к каскадному без участия четырехволновых взаимодействий. Вращение кристалла BaWO4 позволило управлять конкуренцией четырехволновой ВКР-генерации антистоксовой и второй стоксовой компонент излучения.