RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 10, страницы 923–926 (Mi qe15028)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Управление параметрами лазерного излучения

Суперлюминесцентный источник S – C – L-излучения на трех длинах волн с использованием сверхширокополосных ПОУ и ВБР

Х. Ахмад, М. З. Зулкифли, Н. А. Хассан, Ф. Д. Мухаммад, С. В. Харун

Photonics Research Center, University of Malaya, Malaysia

Аннотация: Предложен и продемонстрирован суперлюминесцентный источник излучения на трех длинах волн с выходом в областях S-, C- и L-полос, использующий сверхширокополосный полупроводниковый оптический усилитель (ПОУ) в качестве среды с линейным усилением в диапазоне 1440 – 1620 нм. Три волоконных брэгговских решетки (ВБР) с центральными длинами волн 1500, 1540 и 1580 нм применяются для генерации излучения на длинах волн в S-, C- и L-полосах соответственно, а регулируемый оптический аттенюатор служит для прецизионной балансировки оптических мощностей на указанных длинах волн. Сверхширокополосный ПОУ генерирует усиленное спонтанное излучение (УСИ) с пиковой мощностью –33 дБм при наибольшем токе накачки, причем центральная длина волны спектра УСИ сдвигается вниз из-за пространственного распределения концентрации носителей. При высоких токах накачки излучение на длине волны S-полосы доминирует с выходной мощностью –6 дБм, тогда как мощность в C- и L-полосах составляет только –11 и –10 дБм соответственно. На всех длинах волн при предельно высоком токе накачки 390 мА среднее отношение сигнал/шум превышает 60 дБ, причем система демонстрирует высокий уровень стабильности (флуктуации мощности менее 3 дБ в течение 70 мин). Предлагаемая система может найти множество приложений там, где нужен широкополосный и стабильный лазерный источник, например в задачах связи и зондирования.

Ключевые слова: сверхширокополосный полупроводниковый оптический усилитель, суперлюминесцентный источник в S-, C-, L-областях.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.81.Qb, 42.79.Dj, 42.79.Sz

Поступила в редакцию: 24.10.2012
Исправленный вариант: 31.03.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:10, 923–926

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024