П. П. Васильев, Р. В. Пенти, И. Х. Уайт, “Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах”, Квантовая электроника, 42:12 (2012), 1081

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Специальный выпуск, посвященный 90-летию Н.Г.Басова

Сравнение когерентных свойств сверхизлучения и лазерного излучения в полупроводниковых структурах

П. П. Васильев^ab, Р. В. Пенти^b, И. Х. Уайт^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Centre for Photonic Systems, Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, UK

Аннотация: Экспериментально исследованы когерентные свойства нестационарного электронно-дырочного состояния, возникающего в процессе генерации сверхизлучения в полупроводниковых лазерных структурах. Для этого использовались интерферометр Майкельсона и классическая конфигурация опыта Юнга с двумя щелями. Продемонстрировано, что в исследованных лазерах корреляционная функция 1-го порядка, определяющая меру пространственной когерентности, близка к единице в случае сверхизлучения и составляет 0.2 – 0.5 для лазерного излучения. Сверхкогерентность обусловлена установлением дальнего порядка при сверхизлучающем фазовом переходе.

Ключевые слова: сверхизлучение, когерентность, полупроводниковые лазерные структуры, опыт Юнга, интерференционная картина.

PACS: 42.55.Px, 42.25.Kb, 42.25.Hz, 42.50.Nn

Поступила в редакцию: 24.10.2012