RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 2, страницы 165–169 (Mi qe1505)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Получение электронов высокой энергии и рентгеновских квантов под действием мультитераваттных Ti:сапфировых лазеров

П. Никлесa, М. П. Калашниковa, Р. Д. Варвикa, К. А. Янулевичa, В. Занднерa, У. Янкеb, Д. Хилшерb, М. Шнюрерc, Р. Нолтеd, А. Руссеe

a Max Born Institute, Berlin, Germany
b Hahn-Meitner-Institut, Berlin, Germany
c Technische Universitat Wien, Vienna, Austria
d Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Braunschweig, Germany
e Laboratoire d'Optique Appliquee, ENSTA-Centre del'Yvette, Palaiseau, France

Аннотация: На мультитераваттных Ti:сапфировых лазерах Лаборатории прикладной оптики (ЛПО, Палезо, Франция) и Института им.М.Борна (ИМБ, Берлин, Германия) при облучении мишеней из вольфрама и тантала лазерными импульсами длительностью ~ 30 фс в диапазоне интенсивностей излучения 1018–1019 Вт/см2 исследованы выход электронов и жестких рентгеновских квантов, а также их распределение по энергиям. При измерениях флюенса жестких рентгеновских квантов в диапазоне 15 — 700 кэВ в ЛПО применялся девятиканальный спектрометр с калиброванными термолюминесцентными детекторами. Изучен скэйлинг жестких квантов при изменениях падающей энергии лазера в пределах одного порядка и длительностей импульса в пять раз. На новом Ti:сапфировом лазере ИМБ с помощью времяпролетного спектрометра исследован выход горячих электронов в диапазоне энергий 300 кэВ — 1 МэВ. Полученные данные указывают на сильную зависимость выхода электронов от интенсивности и временной формы лазерного импульса.

PACS: 52.25.Nr, 52.25.Tx, 07.85.Fv, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 21.12.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:5, 444–448

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024