А. И. Загуменный, Ю. Д. Заварцев, П. А. Студеникин, В. И. Власов, И. А. Щербаков, Х. Висс, В. Люти, Х. П. Вебер, П. А. Попов, “Теплопроводность кристалла GdVO4:Tm3+и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе”, Квантовая электроника, 27:1 (1999), 16

Эта публикация цитируется в 19 статьях

Лазеры

Теплопроводность кристалла GdVO₄:Tm³⁺и генерационные характеристики микрочип-лазера на его основе

А. И. Загуменный^a, Ю. Д. Заварцев^a, П. А. Студеникин^a, В. И. Власов^a, И. А. Щербаков^a, Х. Висс^b, В. Люти^b, Х. П. Вебер^b, П. А. Попов^c

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Institute of Applied Physics, University of Bern, Switzerland
^c Брянский государственный педагогический университет им. академика И. Г. Петровского

Аннотация: Измерена теплопроводность кристалла GdVO₄:Tm³⁺ в интервале температур 50 — 300 К. При температуре 300 К в направление оси С она составила 9.7 Вт/(м·К), что выше теплопроводности кристалла YAG:Cr,Tm,Ho. В микрочип-лазере на GdVO₄:Tm³⁺ достигнута максимальная выходная мощность 1.4 Вт (λ = 1.915 мкм) при пороге генерации 5.7 Вт и дифференциальном КПД 9.2%. Показано, что для изготовления лазеров с диодной накачкой матрица GdVO₄ имеет ряд преимуществ по сравнению с другими средами.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Jf, 66.70.+f

Поступила в редакцию: 13.11.1998