RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 10, страницы 907–913 (Mi qe15139)

Лазеры

Влияние тепловых процессов на критические режимы работы мощных лазерных диодов

В. В. Паращукa, Зоан Мьен Вуb

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Institute of Materials Science, Vietnamese Academy of Science and Technology, Vietnam

Аннотация: Численно и аналитически в трехмерном приближении промоделировано влияние пространственной неоднородности термоупругих напряжений в системе лазерный диод – теплоотвод на выходные характеристики прибора при различных режимах работы. Изучена зависимость критической плотности тока накачки от длительности импульса, геометрии и теплофизических параметров лазерной системы, в том числе для современных теплопередающих материалов подложки. В рамках рассматриваемого подхода найдены оптимальные условия процесса сборки лазерных диодов по качеству позиционирования (посадки) лазерного кристалла на теплоотводящую подложку.

Ключевые слова: мощные лазерные диоды, система лазерный диод – теплоотвод (контактный слой), неоднородные тепловые поля, термоупругие напряжения, критические режимы работы, алмазные теплоотводящие подложки, позиционирование чипа.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 31.01.2013
Исправленный вариант: 12.03.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:10, 907–913

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024