В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 401

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах

В. Я. Алешкин^a, Н. В. Дикарева^b, А. А. Дубинов^a, Б. Н. Звонков^b, М. В. Карзанова^b, К. Е. Кудрявцев^a, С. М. Некоркин^b, А. Н. Яблонский^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован волноводный эффект квантовых ям InGaAs в полупроводниковых лазерах на основе GaAs и InP. Показана возможность эффективного использования такого типа волновода для лазерных структур с большой разностью показателей преломления материалов квантовой ямы и полупроводниковой матрицы и большим числом квантовых ям (например, для структур на основе InP).

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, волноводный эффект.

PACS: 42.55.Px, 78.67.Hc, 42.82.Et

Поступила в редакцию: 08.02.2013
Исправленный вариант: 27.03.2013