Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013), 509

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм

Н. С. Дегтярева^a, С. А. Кондаков^a, Г. Т. Микаелян^a, П. В. Горлачук^b, М. А. Ладугин^b, А. А. Мармалюк^b, Ю. Л. Рябоштан^b, И. В. Яроцкая^b

^a ОАО "НПП Инжект", г. Саратов
^b ООО "Сигм Плюс", г. Москва

Аннотация: Разработана эффективная конструкция полупроводниковой гетероструктуры, позволившая изготовить непрерывные линейки лазерных диодов спектрального диапазона 750 – 790 нм. Определены оптимальные технологические режимы получения гетероструктур GaAsP/AlGaInP/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что использование квантовых ям с точно заданной величиной рассогласования позволяет снизить пороговую плотность тока и увеличить внешнюю дифференциальную эффективность. Приведены результаты исследований характеристик линеек лазерных диодов, изготовленных из указанных гетероструктур.

Ключевые слова: линейка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, напряженная квантовая яма.

PACS: 42.55.Px, 78.67.De, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 12.02.2013
Исправленный вариант: 27.03.2013