RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 11, страницы 989–993 (Mi qe15160)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Лазеры

Исследование Tm:Sc2SiO5 лазера c накачкой на переходе 3H63F4 ионов Tm3+

Ю. Д. Заварцев, А. И. Загуменный, Ю. Л. Калачев, С. А. Кутовой, В. А. Михайлов, И. А. Щербаков

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Кристаллы Tm3+ : Sc2SiO5 оптического качества выращены методом Чохральского. В активном элементе, изготовленном из выращенного кристалла, получена лазерная генерация на длине волны ~1.98 мкм при накачке излучением волоконного эрбиевого рамановского лазера с длиной волны 1.678 мкм. Дифференциальная эффективность лазера достигала 42 % при мощности выходного излучения до 320 мВт.

Ключевые слова: Tm : SSO, Sc2SiO5, лазерная накачка, люминесценция, генерация.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Wd, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 19.02.2013
Исправленный вариант: 23.04.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:11, 989–993

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024