Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Полупроводниковые лазеры. Физика и технология

Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра

Е. В. Луценко^a, А. Г. Войнилович^a, Н. В. Ржеуцкий^a, В. Н. Павловский^a, Г. П. Яблонский^a, С. В. Сорокин^b, С. В. Гронин^b, И. В. Седова^b, П. С. Копьев^b, С. В. Иванов^b, М. Аланзи^c, А. Хамидалддин^c, А. Альямани^c

^a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
^c KACST, National Nanotechnology Center, Riyadh, Saudi Arabia

Аннотация: Получена генерация в лазере на основе гетероструктур с квантовыми точками Cd(Zn)Se/ZnSe в желто-зеленом (λ = 558.5 – 566.7 нм) спектральном диапазоне при оптической накачке излучением импульсного азотного лазера при комнатной температуре. Максимальная длина волны генерации λ = 566.7 нм была достигнута при длине резонатора лазера 945 мкм. Большие значения выходной импульсной мощности (до 50 Вт) и внешней дифференциальной квантовой эффективности (~59 %) получены при длине резонатора 435 мкм. Высокое лазерное качество гетероструктуры и низкий порог генерации (~2 кВт/см²) позволили осуществить ее импульсную накачку излучением лазерного InGaN-диода. Созданный на основе данной гетероструктуры лазерный микрочип-конвертер имеет максимальную импульсную мощность ~90 мВт при λ = 560 нм. Вся конструкция микрочипа-конвертера была размещена в стандартном корпусе лазерного диода ТО-18 (диаметр 5.6 мм).

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, лазерный конвертер, оптическая накачка, генерация в желто-зеленом спектральном диапазоне.

PACS: 42.55.Px, 78.67.Hc, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 27.02.2013