А. П. Богатов, И. С. Бурмистров, “Затухание оптической волны, распространяющейся в волноводе, образованном слоями полупроводниковой гетероструктуры, из-за рассеяния на неоднородностях”, Квантовая электроника, 27:3 (1999), 223

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Затухание оптической волны, распространяющейся в волноводе, образованном слоями полупроводниковой гетероструктуры, из-за рассеяния на неоднородностях

А. П. Богатов^a, И. С. Бурмистров^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Проанализировано рассеяние на оптических неоднородностях оптической волны, распространяющейся в волноводе, который образован слоями полупроводниковой гетероструктуры. Найден коэффициент затухания волны как для квазиоднородных монокристаллических слоев твердого раствора полупроводников, так и для слоев, содержащих так называемые квантовые точки.

PACS: 42.55.Px, 78.66.Fd

Поступила в редакцию: 04.03.1999