RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 12, страницы 1107–1109 (Mi qe15225)

Лазеры

ВКР-лазер с внутрирезонаторным преобразованием лазерного излучения на длине волны 1.34 мкм в кристалле BaWO4

А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, А. В. Федин

Ковровская государственная технологическая академия им. В. А. Дегтярева, г. Ковров, Владимирская обл.

Аннотация: Исследованы режимы генерации излучения на длине волны 1.53 мкм при однокаскадном внутрирезонаторном ВКР-преобразовании в кристалле BaWO4 излучения YAG : Nd-лазера на длине волны 1.34 мкм. При пассивной модуляции добротности YAG:Nd-лазера получена генерация ВКР-излучения со средней мощностью 0.28 Вт, энергией импульса в цуге до 5 мДж и длительностью импульса 19 нс при частоте следования импульсов накачки 15 Гц. При электрооптической модуляции добротности YAG : Nd-лазера получена генерация ВКР-излучения со средней мощностью 0.85 Вт, энергией импульса до 28 мДж и длительностью отдельного импульса 20 нс при частоте следования импульсов накачки 30 Гц.

Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, кристалл BaWO4, YAG:Nd-лазер, модуляция добротности.

PACS: 42.55.Ye, 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 13.05.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2013, 43:12, 1107–1109

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024