RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 27, номер 3, страницы 257–261 (Mi qe1525)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерный метод определения оптических и теплофизических характеристик алмаза при высоких температурах

О. Г. Царьковаa, С. В. Гарновa, В. И. Коновb, Е. Н. Лубнинa, Е. Д. Образцоваa, Ф. Даусингерc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institut für Strahlwerkzeuge, Universität Stuttgart

Аннотация: Получены временные и температурные зависимости коэффициентов отражения, пропускания, поглощения и теплоемкости для термически тонких алмазных пластин в процессе нагрева до температуры 2500 °C со скоростью нагрева 103 — 104 К/с лазерным излучением с λ = 1.064 мкм. Экспериментально определен диапазон температур, в котором происходят существенные необратимые изменения оптических свойств алмазных пленок, связанные с образованием графитоподобных структур в тонком приповерхностном слое толщиной около 100 нм. Описан процесс образования кластеров ароматических группировок атомов углерода с sp2-связями. Показано, что коэффициент экстинкции модифицированного слоя на три порядка выше, чем немодифицированного.

PACS: 42.62.Eh, 68.60.Dv, 78.66.Db

Поступила в редакцию: 26.03.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:6, 534–538

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024