П. И. Хаджи, Д. В. Ткаченко, С. Л. Гайван, “Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра”, Квантовая электроника, 27:3 (1999), 265

Эта публикация цитируется в 1 статье

Нелинейно-оптические явления

Особенности стационарного пропускания (отражения) тонкой пленки полупроводника в экситонной области спектра

П. И. Хаджи^a, Д. В. Ткаченко^b, С. Л. Гайван^c

^a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, г. Тирасполь, Молдавия
^b Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
^c Институт прикладной физики АН Молдовы, г. Кишинев

Аннотация: Исследовано стационарное пропускание (отражение) лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника при учете экситон-фотонного и упругого экситон-экситонного взаимодействий. Полученные зависимости пропускания тонкой пленки от амплитуды падающего излучения и расстройки резонанса при определенных условиях обладают гистерезисом, что объясняется смещением экситонного уровня при увеличении концентрации экситонов.

PACS: 42.65.Pc, 71.35.Gg, 78.20.Ci

Поступила в редакцию: 22.03.1999