П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Описаны линейки лазерных диодов на основе "двойных" эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в импульсном режиме на длине волны 1.55 мкм. Выходная оптическая мощность таких линеек в 1.8 раза превышает мощность линеек лазерных диодов на основе "одиночной" гетероструктуры. Приведены основные характеристики полученных лазерных излучателей.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, линейки лазерных диодов, эпитаксиальная интеграция.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 78.66.Fd

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013