Время задержки волновых пакетов при их туннелировании через квантовый диод

С помощью модифицированного метода седловой точки исследован процесс прохождения волнового пакета через квантовый диод. Для исследуемой структуры построена S-матрица рассеяния. Детально рассмотрен случай туннелирования через диод пакета с гауссовой огибающей. Рассчитаны время задержки и форма прошедшего волнового пакета. Исследована зависимость времени задержки от характеристик входного пакета и внутренних характеристик квантового диода. Обсуждаются возможные приложения полученных результатов.