Наноструктурирование монокристаллического карбида кремния пикосекундным ультрафиолетовым лазерным излучением

Методом лазерной абляции в жидкости получены наноструктуры на поверхности монокристаллического карбида кремния 4H-SiC. В качестве источника излучения использовался Nd :YAG-лазер (длина волны 355 нм, длительность импульса 10 пс). Изучены морфология поверхности и распределение наноструктур по размерам в зависимости от плотности энергии падающего лазерного излучения. Обсуждается применимость исследованного процесса для увеличения светимости светоизлучающих диодов на подложке из карбида кремния.