RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2014, том 44, номер 2, страницы 141–144 (Mi qe15341)

Эта публикация цитируется в 57 статьях

Лазеры

Лазер на кристалле ZnSe:Fe2+ с накачкой излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре

С. Д. Великановa, В. П. Даниловb, Н. Г. Захаровa, Н. Н. Ильичевb, С. Ю. Казанцевb, В. П. Калинушкинb, И. Г. Кононовb, А. С. Насибовc, М. И. Студеникинb, П. П. Пашининb, К. Н. Фирсовb, П. В. Шапкинc, В. В. Щуровa

a ФГУП «Российский федеральный ядерный центр – ВНИИЭФ», г. Саров, Нижегородская обл.
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы характеристики ZnSe:Fe2+-лазера в схеме с поперечной накачкой кристалла излучением нецепного электроразрядного HF-лазера при комнатной температуре. Легирование кристалла ZnSe ионами Fe2+ производилось одновременно через две грани методом диффузии в условиях термодинамического равновесия. Установлено, что импульс излучения ZnSe:Fe2+ лазера промодулирован короткими пичками (3 – 7 нс по полувысоте при низких уровнях накачки), причем количество пичков в импульсе уменьшается, а глубина модуляции растет при приближении энергии накачки к пороговому значению сверху. Получена импульсная энергия генерации 30.6 мДж при длительности импульса по полувысоте ~125 нс (при высоких уровнях накачки), обсуждаются возможности дальнейшего увеличения энергии ZnSe:Fe2+-лазера с накачкой излучением нецепного HF-лазера.

Ключевые слова: лазер на кристалле ZnSe:Fe2+, нецепной HF-лазер, поперечная оптическая накачка.

PACS: 42.55.Rz, 42.55.Ks, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 14.11.2013
Исправленный вариант: 13.12.2013


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2014, 44:2, 141–144

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024