RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 28, номер 2, страницы 129–135 (Mi qe1553)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Активные среды

Кинетика активной среды многоволнового ИК лазера на ксеноне в смесях с He и Ar, накачиваемых жестким ионизатором. 2. Ядерная накачка

А. В. Карелин, О. В. Симакова

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Проведено сравнение результатов расчетов по новой подробной нестационарной многоволновой кинетической модели лазера на переходах атома ксенона с λ = 1.73, 2.03, 2.65, 2.63, 3.37 и 3.51 мкм в смеси He — Ar — Xe с результатами экспериментальных исследований Хе-лазера с ядерной накачкой на различных экспериментальных установках. Получено удовлетворительное согласие расчетов с экспериментами. Выявлены причины ухудшения генерационных характеристик Xe-лазера с ядерной накачкой при увеличении температуры среды. Показано, что при ядерной накачке в смеси Ar — Xe возможно получение КПД генерации до 3.5%. Выполнена полная оптимизация лазера с ядерной накачкой от реактора ВИР-2М .

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Pk

Поступила в редакцию: 07.09.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:8, 687–693

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024