Оптоэлектронные интегральные схемы с применением полупроводниковых вертикально излучающих лазеров

Рассматриваются оптоэлектронные интегральные схемы с дополнительными оптическими входами/выходами, в которых в качестве передающих элементов информации используются вертикально излучающие лазеры (ВИЛ). Показана взаимосвязь и преемственность оптических средств обработки и передачи информации и традиционной электронной элементной базы при создании трехмерных межсвязей с высокой пропускной способностью. Отмечаются проблемы, возникающие при использовании в линиях связи полупроводниковых инжекционных лазеров, и показано, какое место в их решении занимают ВИЛ. Подробно анализируются вопросы, относящиеся к возможным структурным и технологическим решениям при создании как отдельных лазеров, так и их массивов, а также проблемы, стоящие на пути объединения лазеров в матрицы излучателей. Значительное место уделяется интегральным схемам с оптоэлектронными «смарт-пикселами». Обсуждаются различные технологические методы интеграции GaAs-ВИЛ с кремниевой подложкой микросхемы.