RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 10, страницы 2350–2353 (Mi qe15674)

Краткие сообщения

Резонансное возбуждение экситонов в полупроводнике с помощью лазера с перестраиваемой длительностью импульса

Ф. Брюкнер, Я. Т. Васильев, В. С. Днепровский, Е. А. Жуков, Д. Г. Кощуг


Аннотация: Сообщается о наблюдении явлений самоиндуцированной прозрачности и насыщения экситонов в монокристалле CdS$_{0,75}$ Se$_{0,25}$ ($T$ = 80 K) при резонансном возбуждении ультракороткими импульсами второй гармоники неодимового лазера, перестраиваемыми по длительности в диапазоне $10^{-11}$$10^{-9}$ с. Зарегистрированы характерные для перечисленных эффектов изменения формы импульсов на выходе из образца и уменьшение скорости распространения импульсов длительности $\tau\lesssim T_2$ ($T_2$ – время поперечной релаксации экситонов).

УДК: 539.293.011.25

PACS: 42.65.H

Поступила в редакцию: 28.04.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:10, 1285–1286


© МИАН, 2024