RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 10, страницы 2356–2358 (Mi qe15676)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Краткие сообщения

Восстановление монокристалличности аморфизованной ионным легированием поверхности кремния лучом аргонового лазера

А. Г. Клименко, Э. А. Клименко, В. И. Донин

Институт физики полупроводников CO АН СССР, г. Новосибирск

Аннотация: Исследовался процесс восстановления монокристалличности поверхности кремния, аморфизованной ионным легированием, под воздействием света мощного (до 500 Вт) аргонового лазера непрерывного действия. Опыты проводились на воздухе, плотность световой мощности составляла около 100 Вт/см2, время освещения не превышало нескольких секунд. Использовались монокристаллические пластины кремния, легированные мышьяком при комнатной температуре (энергия облучения 100 кэВ, доза 1800 мкКл/см2). Найден «мягкий» режим лазерного нагрева, когда пластина через несколько секунд оплавлялась по поверхности. Электронографические исследования на отражение показали, что в результате воздействия лазерного облучения происходит восстановление монокристалличности ионно-легированного аморфного слоя кремния даже при кратковременном (3 с) освещении. Полное восстановление монокристалличности происходит при оплавлении поверхности.

УДК: 621.378.9:621.315.592

PACS: 42.60.Q, 81.20.F

Поступила в редакцию: 20.01.1975
Исправленный вариант: 23.05.1975


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, 5:10, 1289–1291


© МИАН, 2025