RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 28, номер 3, страницы 273–276 (Mi qe1582)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Оптогальванический эффект в лазере на самоограниченных переходах атома меди

Н. А. Юдинa, В. М. Климкинb, В. Е. Прокопьевc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Институт оптики атмосферы СО РАН, г. Томск
c Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Впервые обнаружен оптогальванический эффект в импульсном лазере на парах меди, а также оптотермический эффект, обусловленный гистерезисом оптогальванического эффекта. Оценена обобщенная константа скорости девозбуждения резонансного уровня в состояние ионизации активной среды $\langle\sigma \nu \rangle \sim (3\pm1)\cdot 10^{-7}см^3\cdot с^{-1}$.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 34.50.Fa

Поступила в редакцию: 03.02.1999


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:9, 828–831

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024